Собственная анизотропия кристаллитов и кристаллическая текстура не являются основными факторами, определяющими поперечную термоэдс в наклонноконденсированных плёнках. 2. Предложены модельные представления для выбора, разработки и совершенствования материалов, используемых в термоэлектрических преобразователях. 1.4. Устройства на поперечном термоэлектрическом эффекте и их эволюция.

Изменение подвижности под действием излучения может быть обусловлено не только увеличением энергии носителей, но и влиянием излучения на процессы рассеяния электронов кристаллической решёткой. Придать целенаправленность освоению термоэлектрических явлений и материалов в измерительной технике. ККТ) в двух вариантах: в едином корпусе и с разделением измерения и индикации.

При этом основным носителям приходится преодолевать контактное поле (Потенциальный барьер). Разность потенциалов, возникающая между p- и n-областями из-за наличия контактного поля (Контактная разность потенциалов или высота потенциального барьера), обычно составляет десятые доли вольта.

Аннотация научной статьипо машиностроению, автор научной работы — Шелехов И. Ю., Смирнов Е. И., Рупосов В. Л., Шишелова Т. И.

В этом случае с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть потенциальный барьер. В результате возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через Э.-д. п. При повышении приложенного напряжения этот ток экспоненциально возрастает.

В то же время потоки неосновных носителей не изменяются, поскольку для них барьера не существует. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД — (р n переход), область полупроводника, в к рой имеет место пространств. См. Полупроводники)под действием электромагнитного излучения. Время жизни носителя (т. е. время, которое он в среднем проводит в свободном состоянии) определяется процессами рекомбинации.

Возможны и др. виды Ф., не связанные с изменением концентрации свободных носителей. Такая подвижностная Ф. убывает при высоких частотах и перестаёт зависеть от частоты при низких частотах.

Смотреть что такое «Фотопроводимость» в других словарях:

Лит.: Рывкин С. М., Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., 1963; Стильбанс Л. С., Физика полупроводников, М., 1967; см. также лит. при ст. Полупроводники. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ — фоторезистивный эффект, увеличение электропроводности полупроводника под действием электромагн. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ — способность вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения.

Аннотация научной статьипо физике, автор научной работы — И. И. Берил, М. К. Болога

Оценены силы межкластерного и внутрикластерного взаимодействия атомов. При более высоких температурах происходит существенное увеличение вклада фо-нонного рассеяния. Авторы также использовали эту модель для расчета УЭС углеродных материалов при рассеянии носителей заряда на границах кристаллитов и на акустических колебаниях решетки. Однако в обоих случаях наблюдалось расхождение расчетов с экспериментом в области низких температур.

Величина параметра С, определяющего вклад рассеяния на ионах примеси, заметно уменьшается при увеличении температуры обработки. При графитации под действием тепловых колебаний происходит разрыв связей между атомами углерода и примесными атомами. В статье представлен научно-технологический анализ использования термоэлектрических генераторов. Натурные исследования проводились в действующих системах горячего и холодного водоснабжения.

В данной работе сделана попытка дополнить расчет УЭС при рассеянии носителей на границах кристаллитов и на акустических колебаниях решетки с учетом вклада, обусловленного рассеянием на ионах примеси. 1.1. Классы материалов и эволюция их применения в термоэлектрической технике.

Читайте также: